SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 2 TBvsSamsung 9100 Pro 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
73
97우세
내구성
47
75우세
기능
77
83우세
효율
96우세
85
한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Samsung 9100 Pro 2 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jul 14th, 2026
Feb 25th, 2025
출시 가격
530 USD
294 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0
K9OVGY8J5B-CCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
1.9 W (Idle) 5.1 W (Avg) 8.4 W (Max)
제조사
Samsung
Samsung
모델명
V-NAND V9
Samsung K4U6E3S4AB-MGCL
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
6-Core
5-Core
파운드리
Samsung FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
5 nm
5 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
LPDDR4X-4266
적층 기술
280-layer
236-layer
속도
3200 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.0
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
읽기 지연시간(tR)
85 µs
40 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s
164 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,250 MB/s
14,700 MB/s우세
순차 쓰기
6,450 MB/s
13,400 MB/s우세
랜덤 읽기
850,000 IOPS
1,850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS
2,600,000 IOPS우세
쓰기 내구성
800 TBW
1200 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
approx. 226 GB (216 GB Dynamic + 10 GB Static)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
프로그램 시간(tProg)
—
390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
4.0 ms
다이 읽기 속도
—
1600 MB/s
구성
—
16Gx32
캐시 소진 후 속도
—
approx. 1867 MB/s