SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsMSI Spatium M480 Play 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
MSI Spatium M480 Play 2 TB84/100종합 우세
동급 성능 73 75우세
내구성 47 100우세
기능 77 83우세
효율 96 —

한눈에 보는 결론MSI Spatium M480 Play 2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다. 동급 성능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (2x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
Jul 14th, 2026 Mar 31st, 2022
출시 가격
530 USD 330 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 IA7BG94AYA
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 SK Hynix H5AN8G6NCJR-VKC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 5-Core
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,600 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4-2666 CL19
적층 기술
280-layer 176-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s .. 1600 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 50 mm² (10.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 512 Gbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 127 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s 7,400 MB/s우세
순차 쓰기
6,450 MB/s 7,000 MB/s우세
랜덤 읽기
850,000 IOPS 1,000,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 1,000,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 2550 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.6 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.7
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 225 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s 1500 MB/s
동작 속도
— 1,000 MHz
리브랜딩명
— MT29F512G08EBLEE3W
ONFI 규격
— 4.1
워드라인
— 195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 502 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 1143 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
블록 크기
— 2112 Pages
플레인 크기
— 550 Blocks
구성
— 8Gx16
캐시 소진 후 속도
— approx. 3500 MB/s