SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsIntel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)71/100종합 우세
동급 성능 73우세 67
내구성 47 65우세
기능 77 94우세
효율 96우세 60

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Intel DC P4510 8 TB (IMFT B17A 512Gb FortisMax)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 10240 MB (10x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 741.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Feb 16th, 2018
출시 가격
530 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 SSDPE2KX080T8
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) U.2
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 5.0 W (Idle) 10.0 W (Avg) 16.0 W (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 Micron MT40A2G4WE-083E:B (D9TBJ)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM Cortex-A
코어 구성
6-Core 듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 12 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4-2400 CL17
적층 기술
280-layer 64-layer
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 667 MT/s
Toggle 규격
5.0
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 108 mm² (4.7 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 88 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 69 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
순차 읽기
7,250 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 641,800 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 134,500 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 13880 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 1.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
1,200 MHz
ONFI 규격
4.0
워드라인
74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
880 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
다이 읽기 속도
727 MB/s
낸드 최대 내구성
10000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
블록 크기
2304 Pages
플레인 크기
504 Blocks
구성
8Gx4
쓰기 캐시
N/A