SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsIntel DC P3700 400 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Intel DC P3700 400 GB78/100종합 우세
동급 성능 73우세 42
내구성 47 100우세
기능 77 94우세
효율 96우세 65

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Intel DC P3700 400 GB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB —
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 정보 없음
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Jun 2014
출시 가격
530 USD 600 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 SSDPEDMD400G4
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) Add-In Card
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.2
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 4.0 W (Idle) 9.0 W (Avg) 12.0 W (Max)
제조사
Samsung Intel
모델명
V-NAND V9 L84 (20nm)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET Intel
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 18
칩 활성 수
4 —
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR3
적층 기술
280-layer Planar
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 200 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 100 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
페이지 크기
16 KB 8 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 2,700 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,080 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 450,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 75,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 7300 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 10.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB —
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 400 MHz
ONFI 규격
— 2.3
프로그램 시간(tProg)
— 1300 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.0 ms
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles
블록 크기
— 256 Pages
플레인 크기
— 2048 Blocks
쓰기 캐시
— N/A