SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsIntel 665p 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Intel 665p 2 TB53/100
동급 성능 73우세 35
내구성 47 63우세
기능 77 83우세
효율 96 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Intel 665p 2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 256 MB (1x 256 MB)
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 140.7 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Nov 25th, 2019
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 SSDPEKNW020T9X1
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Intel
모델명
V-NAND V9 WINBOND W632GU6MB-12
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 28 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR3L-1600 CL11
적층 기술
280-layer 96-layer
속도
3200 MT/s 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 115 mm² (8.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 1 Tbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 90 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 31 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 2,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 2,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 250,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 250,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세 600 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.6 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.2
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 280 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256 TCG Pyrite
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 650 MHz
리브랜딩명
— 29F04T2ANCQJI
ONFI 규격
— 4.0
프로그램 시간(tProg)
— 2080 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 711 MB/s
낸드 최대 내구성
— 1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 4608 Pages
플레인 크기
— 492 Blocks
구성
— 2Gx16
캐시 소진 후 속도
— approx. 370 MB/s