SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsGigabyte Gen4 4000E 500 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Gigabyte Gen4 4000E 500 GB58/100
동급 성능 73우세 44
내구성 47 55우세
기능 77 77
효율 96우세 88

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Gigabyte Gen4 4000E 500 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 250 GB 500 GB 1 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 2024
출시 가격
530 USD —
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 G440E500G
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.4 W (Max)
제조사
Samsung SK Hynix
모델명
V-NAND V9 V7
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,600 MT/s
적층 기술
280-layer 176-layer
속도
3200 MT/s 1600 MT/s
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 47 mm² (10.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 512 Gbit
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 50 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 168 MB/s
순차 읽기
7,250 MB/s우세 3,600 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
800 TBW우세 300 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.5
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB 지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
PS5 호환
지원 정보 없음
동작 속도
— 1,000 MHz
워드라인
— 196 per NAND String 89.8% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 380 µs
다이 읽기 속도
— 1280 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 4224 Pages
플레인 크기
— 1084 Blocks