SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsCrucial P5 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Crucial P5 2 TB70/100
동급 성능 73우세 58
내구성 47 75우세
기능 77 83우세
효율 96우세 90

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Crucial P5 2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
출시일
Jul 14th, 2026 Apr 21st, 2020
출시 가격
530 USD 340 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 NW970
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 0.09 W (Idle) 4.0 W (Avg) 5.9 W (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 MT53D512M32D2DS-046 IT:D (FBGA: D9XGJ)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex R5 + M3
파운드리
Samsung FinFET Micron
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4-2133
적층 기술
280-layer 96-layer
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 82 mm² (6.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 88 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 80 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB N/A
순차 읽기
7,250 MB/s우세 3,400 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 430,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 500,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 1200 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 350 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 700 MHz
리브랜딩명
— MT29F8T08ESLCEG4-R:C
ONFI 규격
— 4.0
워드라인
— 106 per NAND String 90.6% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 800 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 727 MB/s
낸드 최대 내구성
— 2000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
블록 크기
— 5184 Pages
플레인 크기
— 236 Blocks
구성
— 16Gx32
캐시 소진 후 속도
— approx. 1100 MB/s