SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsCrucial P310 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Crucial P310 2 TB72/100종합 우세
동급 성능 73 73
내구성 47 59우세
기능 77 77
효율 96우세 93

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Crucial P310 2 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 동급 성능·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

출시일
Jul 14th, 2026 Jul 17th, 2024
출시 가격
530 USD 215 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 NY325
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2230 (Single-Sided)
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 0.80 W (Idle) 3.5 W (Avg) 5.1 W (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 N58R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 3,600 MT/s
적층 기술
280-layer 232-layer
속도
3200 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.0
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
85 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 52 MB/s
순차 읽기
7,250 MB/s우세 7,100 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 6,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS 1,000,000 IOPS우세
쓰기 내구성
800 TBW우세 440 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.1
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 400 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s 320 MB/s
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
동작 속도
1,200 MHz
리브랜딩명
MT29F16T08GSLDHL8-24QM:D
ONFI 규격
4.2
워드라인
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
1220 µs
블록 크기
3712 Pages
플레인 크기
566 Blocks