SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 2 TBvsCrucial P310 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
73
73
내구성
47
59우세
기능
77
77
효율
96우세
93
한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Crucial P310 2 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 동급 성능·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
1 chip @ 16 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB
1 TB 2 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jul 14th, 2026
Jul 17th, 2024
출시 가격
530 USD
215 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0
NY325
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2230 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
0.80 W (Idle) 3.5 W (Avg) 5.1 W (Max)
제조사
Samsung
Micron
모델명
V-NAND V9
N58R FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core
트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET
TSMC FinFET
제조 공정
5 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 3,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
280-layer
232-layer
속도
3200 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.0
—
셀 구조
Charge Trap
Replacement Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
54 mm² (19.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
16 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
읽기 지연시간(tR)
85 µs
—
다이 쓰기 속도
41 MB/s
52 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,250 MB/s우세
7,100 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세
6,000 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS
1,000,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS
1,200,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세
440 TBW
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
0.1
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
approx. 400 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
320 MB/s
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
정보 없음
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
동작 속도
—
1,200 MHz
리브랜딩명
—
MT29F16T08GSLDHL8-24QM:D
ONFI 규격
—
4.2
워드라인
—
255 per NAND String 91.0% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
—
1220 µs
블록 크기
—
3712 Pages
플레인 크기
—
566 Blocks