SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsCrucial P1 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100종합 우세
VS
Crucial P1 2 TB56/100
동급 성능 73우세 33
내구성 47 59우세
기능 77 83우세
효율 96 100우세

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Crucial P1 2 TB은(는) 내구성·기능·효율 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Apr 2018
출시 가격
530 USD 225 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 CT2000P1SSD8
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 0.07 W (Idle) Unknown (Avg) Unknown (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 N18A FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM
종류
없음 정보 없음
적층 기술
280-layer 64-layer
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 157 mm² (6.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 1 Tbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 127 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 21 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB N/A
순차 읽기
7,250 MB/s우세 2,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,700 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 250,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 250,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세 400 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.1
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB 지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 650 MHz
ONFI 규격
— 4.0
워드라인
— 74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 3000 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 503 MB/s
낸드 최대 내구성
— 1500 P/E Cycles
블록 크기
— 3072 Pages
플레인 크기
— 684 Blocks