SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 2 TBvsCorsair MP600 Pro NH 8 TB (Phison E18 + Kioxia BiCS5)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
73우세
72
내구성
47
82우세
기능
77
83우세
효율
96우세
56
한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Corsair MP600 Pro NH 8 TB (Phison E18 + Kioxia BiCS5)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다. 동급 성능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
2048 MB (2x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB
2 TB 8 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
741.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jul 14th, 2026
Nov 2nd, 2022
출시 가격
530 USD
1075 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0
CSSD-F8000GBMP600PNH
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 10.9 W (Max)
제조사
Samsung
Kioxia
모델명
V-NAND V9
BiCS5
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core
5-Core
파운드리
Samsung FinFET
TSMC
제조 공정
5 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
8 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
DDR4
적층 기술
280-layer
112-layer
속도
3200 MT/s
1200 MT/s
Toggle 규격
5.0
4.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
—
읽기 지연시간(tR)
85 µs
56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,250 MB/s우세
7,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세
6,100 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS
950,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS
1,200,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW
6000 TBW우세
보증 기간
3 Years
5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
1.6 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
0.4
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
하드웨어 버전
—
Phison E18 + Kioxia BiCS5 2 TB 8 TB Phison E18 + Micron B47R 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB MP600 Pro NH (Phison E18 + Kioxia BiCS5) MP600 Pro NH (Phison E18 + Micron B47R)
동작 속도
—
1,000 MHz
워드라인
—
128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
낸드 최대 내구성
—
3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
블록 크기
—
1344 Pages