SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 2 TBvsCorsair MP600 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 2 TB70/100
VS
Corsair MP600 2 TB70/100
동급 성능 73우세 48
내구성 47 100우세
기능 77 83우세
효율 96 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Corsair MP600 2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (2x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
출시일
Jul 14th, 2026 2019
출시 가격
530 USD 420 USD
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0 DA8HG65AWV
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V9 SK Hynix H5AN8G8NCJR-VkC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 쿼드 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4-2666 CL19
적층 기술
280-layer 96-layer
속도
3200 MT/s 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 3.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 86 mm² (6.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 58 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 57 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,250 MB/s우세 4,950 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 4,250 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세 680,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세 600,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW 3600 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.7 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 1.0
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB approx. 666 GB (dynamic only)
캐시 폴딩 속도
213 MB/s —
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
동작 속도
— 733 MHz
ONFI 규격
— 4.0
워드라인
— 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 561 µs
다이 읽기 속도
— 551 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 1152 Pages
플레인 크기
— 1822 Blocks
구성
— 8Gx16