SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 2 TBvsASUS ROG Xbox Ally X RC73XA 1 TB (Samsung BM9H1)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
73우세
51
내구성
47우세
25
기능
77
77
효율
96
—
한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
1 chip @ 8 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB
—
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
70.3 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Jul 14th, 2026
Nov 2025
출시 가격
530 USD
—
제품 번호
K9YYGY8J5D-FCK0
K9XVGY8J5C-CCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 2280
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 1.4
소비전력
1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
정보 없음
제조사
Samsung
Samsung
모델명
V-NAND V9
V-NAND V7
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
6-Core
듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET
TSMC
제조 공정
5 nm
12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
4 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
HMB (enabled)
종류
없음
없음
적층 기술
280-layer
176-layer
속도
3200 MT/s
1600 MT/s
Toggle 규격
5.0
4.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
67 mm² (15.3 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
1
읽기 지연시간(tR)
85 µs
85 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s
—
페이지 크기
16 KB
16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
64 MB
순차 읽기
7,250 MB/s우세
4,900 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세
4,500 MB/s
랜덤 읽기
850,000 IOPS우세
530,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,200,000 IOPS우세
950,000 IOPS
쓰기 내구성
800 TBW우세
300 TBW
보증 기간
3 Years
정보 없음
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
—
SLC 쓰기 캐시
approx. 350 GB
지원
캐시 폴딩 속도
213 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
휴대용 기기 권장가
—
$999
동작 속도
—
650 MHz
워드라인
—
191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
—
1600 µs