SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsWestern Digital SN750 (w/ Heatsink) 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Western Digital

Western Digital SN750 (w/ Heatsink) 1 TB

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Western Digital SN750 (w/ Heatsink) 1 TB72/100종합 우세
동급 성능 69우세 61
내구성 47 75우세
기능 77 81우세
효율 92 98우세

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN750 (w/ Heatsink) 1 TB은(는) 내구성·기능·효율 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
출시일
Jul 14th, 2026 Jan 18th, 2019
출시 가격
270 USD 250 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 WDS100T3XHC-00SJG
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 1.2 W (Idle) 2.5 W (Avg) 5.8 W (Max)
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V9 SK Hynix H5AN8G6NAFR-UHC
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4-2400 CL17
적층 기술
280-layer 64-layer
속도
3200 MT/s 533 MT/s
Toggle 규격
5.0 2.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 132 mm² (3.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 80 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 46 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 3,400 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,100 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 550,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 520,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 600 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 14 GB (static only)
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
리브랜딩명
— 05560 512G (Rebranded by Sandisk)
프로그램 시간(tProg)
— 695 µs
다이 읽기 속도
— 400 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 768 Pages
플레인 크기
— 2732 Blocks
구성
— 8Gx16
캐시 소진 후 속도
— approx. 1600 MB/s