SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsWestern Digital SN350 1 TB (QLC)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Western Digital SN350 1 TB (QLC)56/100
동급 성능 69우세 50
내구성 47우세 34
기능 77우세 74
효율 92 100우세

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN350 1 TB (QLC)은(는) 효율 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1 chip @ Unknown
출시일
Jul 14th, 2026 Feb 15th, 2021
출시 가격
270 USD 44 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 WDS100T3G0C
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 0.11 W (Idle) Unknown (Avg) 5.0 W (Max)
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V9 BiCS4
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 16 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,200 MT/s
적층 기술
280-layer 96-layer
속도
3200 MT/s 533 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 3.2
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 158 mm² (8.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 160 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 10 MB/s
순차 읽기
7,150 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 2,500 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 300,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 400,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW우세 100 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours우세 1.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.1
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
하드웨어 버전
— QLC 1 TB 2 TB TLC 240 GB 480 GB 960 GB SN350 (QLC) SN350 (TLC)
워드라인
— 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 3290 µs
다이 읽기 속도
— 200 MB/s
블록 크기
— 1536 Pages
플레인 크기
— 3642 Blocks