SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsSamsung PM9A3 7.5 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Samsung PM9A3 7.5 TB87/100종합 우세
동급 성능 69우세 66
내구성 47 100우세
기능 77 94우세
효율 92 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung PM9A3 7.5 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 960 GB 1.9 TB 3.8 TB 7.5 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 1039.4 GB / 14.5 %
출시일
Jul 14th, 2026 Feb 2021
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 MZQL27T6HBLA-00A07
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) U.3
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
모델명
V-NAND V9 V-NAND V6
코어 구성
6-Core 5-Core
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,400 MT/s
칩 활성 수
4 8
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4
적층 기술
280-layer 128-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 102 mm² (5.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
85 µs 45 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 82 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 6,500 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,500 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 900,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 200,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 정보 없음
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 —
SLC 쓰기 캐시
지원 정보 없음
전원 손실 보호
미지원 지원
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 136 per NAND String 94.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.5 ms
다이 읽기 속도
— 711 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles