SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsSamsung PM9A3 1.9 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Samsung PM9A3 1.9 TB69/100종합 우세
동급 성능 69우세 60
내구성 47 66우세
기능 77 94우세
효율 92우세 60

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Samsung PM9A3 1.9 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2560 MB (5x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 960 GB 1.9 TB 3.8 TB 7.5 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 259.9 GB / 14.5 %
출시일
Jul 14th, 2026 Feb 2021
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 K9DMGB8J1C-CCK0
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) U.3
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 3.5 W (Idle) 10.0 W (Avg) 12.5 W (Max)
모델명
V-NAND V9 Samsung K4A4G085WF-BCWE
코어 구성
6-Core 5-Core
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,400 MT/s
칩 활성 수
4 8
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4-3200
적층 기술
280-layer 128-layer
속도
3200 MT/s 800 MT/s .. 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
85 µs 45 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 84 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 6,800 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 2,700 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 850,000 IOPS우세
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 130,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 3504 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 1.0
SLC 쓰기 캐시
지원 정보 없음
전원 손실 보호
미지원 지원
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 136 per NAND String 94.1% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 400 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.5 ms
다이 읽기 속도
— 711 MB/s
구성
— 4Gx8