SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsSamsung PM981 2 TB (Samsung V-NAND TLC V4 512Gb M-Die)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung PM981 2 TB (Samsung V-NAND TLC V4 512Gb M-Die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Samsung PM981 2 TB (Samsung V-NAND TLC V4 512Gb M-Die)61/100
동급 성능 69우세 48
내구성 47 60우세
기능 77 83우세
효율 92우세 81

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Samsung PM981 2 TB (Samsung V-NAND TLC V4 512Gb M-Die)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB —
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 140.7 GB / 7.4 %
출시일
Jul 14th, 2026 Aug 2017
출시 가격
270 USD 305 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 K9UKGY8SCD-DCK0
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.2
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 5.9 W (Max)
모델명
V-NAND V9 Samsung
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R7
코어 구성
6-Core 5-Core
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 800 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR3
적층 기술
280-layer 64-layer
속도
3200 MT/s 1000 MT/s
Toggle 규격
5.0 3.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 128 mm² (4.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
85 µs 45 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 3,200 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 2,400 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 300,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 330,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 정보 없음
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 —
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 72 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 700 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.5 ms
낸드 최대 내구성
— 7000 P/E Cycles (20000 in SLC Mode)
블록 크기
— 768 Pages
플레인 크기
— 5748 Blocks