SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 990 1 TBvsSamsung PM863A 960 GB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
69
—
내구성
47
—
기능
77우세
45
효율
92
—
한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 8 Tbit
—
용량 옵션
1 TB 2 TB
—
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
—
생산 상태
생산 중
—
출시일
Jul 14th, 2026
—
출시 가격
270 USD
—
제품 번호
MZ-V9V1T0
—
대상 시장
일반 소비자용
—
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
—
인터페이스
PCIe 4.0 x4
—
프로토콜
NVMe 2.0
—
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max)
—
제조사
Samsung
—
모델명
V-NAND V9
—
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
—
코어 구성
6-Core
—
파운드리
Samsung FinFET
—
제조 공정
5 nm
—
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s
—
칩 활성 수
4
—
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
—
종류
없음
—
적층 기술
280-layer
—
속도
3200 MT/s
—
Toggle 규격
5.0
—
셀 구조
Charge Trap
—
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
—
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
—
다이당 데크 수
2
—
읽기 지연시간(tR)
85 µs
—
다이 쓰기 속도
41 MB/s
—
페이지 크기
16 KB
—
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,150 MB/s
—
순차 쓰기
6,450 MB/s
—
랜덤 읽기
700,000 IOPS
—
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS
—
쓰기 내구성
400 TBW
—
보증 기간
3 Years
—
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
—
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4
—
SLC 쓰기 캐시
지원
—
TRIM 지원
지원
—
S.M.A.R.T. 지원
지원
—
전원 손실 보호
미지원
—
암호화
AES-256 TCG Opal
—
RGB 조명
미지원
—
PS5 호환
지원
—