SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsSamsung 990 Evo 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Samsung 990 Evo 1 TB63/100
동급 성능 69우세 50
내구성 47 75우세
기능 77 77
효율 92 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung 990 Evo 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2 chips @ 4 Tbit
출시일
Jul 14th, 2026 2024
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 정보 없음
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 5.0 x2
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
모델명
V-NAND V9 V-NAND V6 Prime
제조 공정
5 nm 20 nm
적층 기술
280-layer 133-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
85 µs —
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 5,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 4,200 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 680,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 800,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 600 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
워드라인
— 136 per NAND String 97.8% Vertical Efficiency