SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsPNY CS2342 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
PNY CS2342 1 TB82/100종합 우세
동급 성능 69 89우세
내구성 47 75우세
기능 77 77
효율 92 —

한눈에 보는 결론PNY CS2342 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

출시일
Jul 14th, 2026 Mar 25th, 2025
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 M230CS2342-1TB-TB
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2242 (Single-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 정보 없음
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC FinFET
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 3,600 MT/s
적층 기술
280-layer 162-layer
속도
3200 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 98 mm² (10.4 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
85 µs 65 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 160 MB/s
순차 읽기
7,150 MB/s 7,300 MB/s우세
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 6,000 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
400 TBW 600 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.3
암호화
AES-256 TCG Opal TCG Pyrite
동작 속도
— 1,200 MHz
워드라인
— 184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 400 µs
다이 읽기 속도
— 1280 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles
블록 크기
— 3660 Pages
플레인 크기
— 2430 Blocks