SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsPNY CS2142 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
PNY CS2142 1 TB63/100
동급 성능 69우세 54
내구성 47 69우세
기능 77 77
효율 92 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. PNY CS2142 1 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

출시일
Jul 14th, 2026 Mar 2024
출시 가격
270 USD 80 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 ICBIG96AZA
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2230 (Single-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 N48R MediaFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,600 MT/s
적층 기술
280-layer 176-layer
속도
3200 MT/s 1600 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 69 mm² (14.8 Gbit/mm²)
읽기 지연시간(tR)
85 µs 109 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 27 MB/s
순차 읽기
7,150 MB/s우세 4,900 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,200 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
400 TBW 450 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.2
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
동작 속도
— 1,000 MHz
ONFI 규격
— 4.2
워드라인
— 195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 2339 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 7.5 ms
다이 읽기 속도
— 587 MB/s
낸드 최대 내구성
— 900 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
블록 크기
— 2816 Pages
플레인 크기
— 817 Blocks