SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsIntel SSD 750 1.2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Intel SSD 750 1.2 TB55/100
동급 성능 69우세 36
내구성 47 55우세
기능 77 95우세
효율 92우세 60

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Intel SSD 750 1.2 TB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2560 MB (5x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 400 GB 800 GB 1.2 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 258.4 GB / 23.1 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Apr 2nd, 2015
출시 가격
270 USD 1029 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 29F64G08LCMFS
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) Add-In Card (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 4.0 W (Idle) 10.0 W (Avg) 22.0 W (Max)
제조사
Samsung Intel
모델명
V-NAND V9 Micron MT41K1G4RH-125:E (D9PQL)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM
코어 구성
6-Core —
파운드리
Samsung FinFET Intel
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 18
칩 활성 수
4 —
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR3-1600 CL16
적층 기술
280-layer Planar
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 200 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 64 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 100 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
페이지 크기
16 KB 8 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 2,500 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,200 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 460,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 290,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW우세 128 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours우세 1.2 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.1
SLC 쓰기 캐시
지원 —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 400 MHz
ONFI 규격
— 2.3
프로그램 시간(tProg)
— 1300 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.0 ms
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles
블록 크기
— 256 Pages
플레인 크기
— 1024 Blocks
보조 낸드 제조사
— Intel
보조 낸드 모델명
— 20nm
보조 낸드 제품 번호
— 29F16B08LCMFS
보조 낸드 종류
— MLC
보조 낸드 적층 기술
— Planar
보조 낸드 속도
— 267 MT/s ... 533 MT/s
보조 낸드 용량
— 14 chips x 64 Gbit
보조 낸드 ONFI 규격
— 3.0
보조 낸드 셀 구조
— Charge Trap
보조 낸드 다이 면적
— 118mm²
보조 낸드 칩당 다이 수
— 1 dies x 128 Gbit
보조 낸드 다이당 플레인 수
— 4 Planes
보조 낸드 읽기 지연시간(tR)
— 90 µs
구성
— 4Gx4
쓰기 캐시
— N/A