SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsIntel DC P4510 1 TB (IMFT B16A 256Gb FortisMax)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Intel DC P4510 1 TB (IMFT B16A 256Gb FortisMax)67/100
동급 성능 69우세 43
내구성 47 72우세
기능 77 94우세
효율 92우세 60

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Intel DC P4510 1 TB (IMFT B16A 256Gb FortisMax)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 정보 없음
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 2018
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 SSDPE2KX020T8
대상 시장
일반 소비자용 기업용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) U.2
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 5.0 W (Idle) 10.0 W (Avg) 10.0 W (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 B16A FortisMax
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM Cortex-A
코어 구성
6-Core 듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 12 @ 1,600 MT/s
칩 활성 수
4 —
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
280-layer 64-layer
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 667 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 58 mm² (4.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
읽기 지연시간(tR)
85 µs 76 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 39 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 2,850 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,100 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 465,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 70,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 2610 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 1.4
SLC 쓰기 캐시
지원 —
전원 손실 보호
미지원 지원
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 1,200 MHz
ONFI 규격
— 4.0
워드라인
— 74 per NAND String 86.5% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 820 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 842 MB/s
낸드 최대 내구성
— 5000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
블록 크기
— 2304 Pages
플레인 크기
— 504 Blocks
쓰기 캐시
— N/A