SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsGigabyte Gen4 4000E 500 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Gigabyte Gen4 4000E 500 GB58/100
동급 성능 69우세 44
내구성 47 55우세
기능 77 77
효율 92우세 88

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Gigabyte Gen4 4000E 500 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 250 GB 500 GB 1 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 2024
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 G440E500G
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 4.4 W (Max)
제조사
Samsung SK Hynix
모델명
V-NAND V9 V7
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,600 MT/s
적층 기술
280-layer 176-layer
속도
3200 MT/s 1600 MT/s
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 47 mm² (10.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 512 Gbit
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 50 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 168 MB/s
순차 읽기
7,150 MB/s우세 3,600 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
400 TBW우세 300 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.5
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
PS5 호환
지원 정보 없음
동작 속도
— 1,000 MHz
워드라인
— 196 per NAND String 89.8% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 380 µs
다이 읽기 속도
— 1280 MB/s
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 4224 Pages
플레인 크기
— 1084 Blocks