SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsGigabyte AI TOP 100E 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Gigabyte AI TOP 100E 2 TB86/100종합 우세
동급 성능 69 86우세
내구성 47 100우세
기능 77 81우세
효율 92우세 56

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 효율 항목에서 앞섭니다. Gigabyte AI TOP 100E 2 TB은(는) 동급 성능·내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2048 MB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 820.7 GB / 43.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 Jun 2024
출시 가격
270 USD —
제품 번호
MZ-V9V1T0 AI100E2TB
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
프로토콜
NVMe 2.0 정보 없음
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 10.9 W (Max)
제조사
Samsung Kioxia
모델명
V-NAND V9 BiCS5 HDR
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 5-Core
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,600 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4
적층 기술
280-layer 112-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 341 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs 56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 7,000 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 5,900 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
400 TBW 219000 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.6 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 58.6
SLC 쓰기 캐시
지원 —
암호화
AES-256 TCG Opal 미지원
동작 속도
— 1,000 MHz
워드라인
— 128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
낸드 최대 내구성
— 3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
블록 크기
— 1344 Pages
쓰기 캐시
— N/A