SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsCrucial P2 1 TB (Micron B27A)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Crucial P2 1 TB (Micron B27A)57/100
동급 성능 69우세 42
내구성 47 69우세
기능 77 77
효율 92 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Crucial P2 1 TB (Micron B27A)은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 4 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB —
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Apr 20th, 2020
출시 가격
270 USD 115 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 CT1000P2SSD8
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 B27A FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 4 @ 667 MT/s
칩 활성 수
4 8
적층 기술
280-layer 96-layer
속도
3200 MT/s 50 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 82 mm² (6.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 4 dies @ 512 Gbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 88 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 80 MB/s
순차 읽기
7,150 MB/s우세 2,400 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 1,800 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 430,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 430,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW 450 TBW우세
보증 기간
3 Years 5 Years우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.2
PS5 호환
지원 미지원
하드웨어 버전
— Micron B16A 250 GB 500 GB Micron B27A 1 TB Micron N28A 1 TB 2 TB P2 (Micron B16A) P2 (Micron B27A) P2 (Micron N28A)
동작 속도
— 667 MHz
ONFI 규격
— 4.0
워드라인
— 106 per NAND String 90.6% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
— 800 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
다이 읽기 속도
— 727 MB/s
낸드 최대 내구성
— 2000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
블록 크기
— 5184 Pages
플레인 크기
— 236 Blocks