SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsCrucial E100 480 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
Crucial E100 480 GB51/100
동급 성능 69우세 48
내구성 47우세 35
기능 77 77
효율 92 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 2 chips @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 480 GB 1 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 65.0 GB / 14.5 %
출시일
Jul 14th, 2026 Jan 7th, 2025
출시 가격
270 USD 37 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 CT480E100SSD8
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) M.2 2280
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung SpecTek
모델명
V-NAND V9 B58R
코어 구성
6-Core 듀얼 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
적층 기술
280-layer 232-layer
속도
3200 MT/s 2400 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 70 mm² (14.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4 6
읽기 지연시간(tR)
85 µs —
다이 쓰기 속도
41 MB/s —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 4,700 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 2,500 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
400 TBW우세 60 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours우세 1.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 0.1
암호화
AES-256 TCG Opal 정보 없음
동작 속도
— 725 MHz
ONFI 규격
— 5.0
워드라인
— 253 per NAND String 91.7% Vertical Efficiency
블록 삭제 시간(tBERS)
— 15 ms
낸드 최대 내구성
— 1000 P/E Cycles (60000 in SLC Mode)
블록 크기
— 2784 Pages
플레인 크기
— 3402 Blocks