SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsCorsair MP600 Pro LPX 500 GB (Micron TLC B47R 512Gb)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Corsair

Corsair MP600 Pro LPX 500 GB (Micron TLC B47R 512Gb)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100
VS
Corsair MP600 Pro LPX 500 GB (Micron TLC B47R 512Gb)67/100
동급 성능 69우세 50
내구성 47 79우세
기능 77 83우세
효율 92우세 78

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Corsair MP600 Pro LPX 500 GB (Micron TLC B47R 512Gb)은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 512 MB
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 46.3 GB / 10.0 %
출시일
Jul 14th, 2026 Jan 14th, 2022
출시 가격
270 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 CSSD-F0500GBMP600PLP
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) Unknown (Idle) Unknown (Avg) 6.5 W (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
V-NAND V9 SK Hynix
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
6-Core 5-Core
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,600 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
280-layer 176-layer
속도
3200 MT/s 1200 MT/s .. 1600 MT/s
Toggle 규격
5.0
셀 구조
Charge Trap Replacement Gate
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 50 mm² (10.2 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit
읽기 지연시간(tR)
85 µs 56 µs
다이 쓰기 속도
41 MB/s 127 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
순차 읽기
7,150 MB/s우세 7,100 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 3,700 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 435,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 615,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW우세 350 TBW
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.6 Million Hours우세
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
하드웨어 버전
Kioxia BiCS5 TLC 512Gb 2 TB Micron TLC B47R 512Gb 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB MP600 Pro LPX (Kioxia BiCS5 TLC 512Gb) MP600 Pro LPX (Micron TLC B47R 512Gb)
동작 속도
1,000 MHz
ONFI 규격
4.1
워드라인
195 per NAND String 90.3% Vertical Efficiency
프로그램 시간(tProg)
502 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
15 ms
다이 읽기 속도
1143 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles (40000 in SLC Mode)
블록 크기
2112 Pages
플레인 크기
550 Blocks