SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 990 1 TBvsASUS ROG RAIDR Express 240 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 990 1 TB67/100종합 우세
VS
ASUS ROG RAIDR Express 240 GB47/100
동급 성능 69우세 6
내구성 47 100우세
기능 77우세 72
효율 92 —

한눈에 보는 결론Samsung 990 1 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. ASUS ROG RAIDR Express 240 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 8 chips @ 128 Gbit
용량 옵션
1 TB 2 TB —
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 32.5 GB / 14.5 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Jul 14th, 2026 Jul 31st, 2013
출시 가격
270 USD 409 USD
제품 번호
MZ-V9V1T0 TH58TEG7DDJBA4C
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided) Add-In Card
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 2.0 x2
프로토콜
NVMe 2.0 AHCI
소비전력
Unknown (Idle) 3.7 W (Avg) 4.0 W (Max) 정보 없음
제조사
Samsung Toshiba
모델명
V-NAND V9 A19
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex
코어 구성
6-Core 싱글 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 2,400 MT/s 8 @ 166 MT/s
칩 활성 수
4 —
컨트롤러 기능
HMB (enabled) —
적층 기술
280-layer Planar
속도
3200 MT/s 200 MT/s .. 400 MT/s
Toggle 규격
5.0 1.0
다이 면적
36 mm² (28.4 Gbit/mm²) 113 mm² (0.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 2 dies @ 64 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
85 µs —
다이 쓰기 속도
41 MB/s 15 MB/s
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,150 MB/s우세 830 MB/s
순차 쓰기
6,450 MB/s우세 810 MB/s
랜덤 읽기
700,000 IOPS우세 100,000 IOPS
랜덤 쓰기
1,100,000 IOPS우세 100,000 IOPS
쓰기 내구성
400 TBW Unknown (per SSD)
보증 기간
3 Years 5 Years우세
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours우세 0.6 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.4 —
SLC 쓰기 캐시
지원 정보 없음
암호화
AES-256 TCG Opal AES-128
PS5 호환
지원 미지원
RAID 구성
— 2x 120 GB
RAID 레벨
— RAID-0
프로그램 시간(tProg)
— 1100 µs
블록 크기
— 256 Pages
플레인 크기
— 2132 Blocks