SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 9100 Pro 8 TBvsSamsung PM9E1 512 GB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
99
—
내구성
75
—
기능
83
83
효율
—
—
한눈에 보는 결론기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
8192 MB
정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
512 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
741.4 GB / 10.0 %
35.2 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Feb 25th, 2025
2024
제품 번호
MZ-VAP8T0
MZVLC512HFJD
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
정보 없음
제조사
Samsung
Samsung
모델명
Samsung
V-NAND V8 (F-Die)
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
5-Core
5-Core
파운드리
Samsung FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
5 nm
5 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4X
LPDDR4
적층 기술
236-layer
236-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.0
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
89 mm² (5.8 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
읽기 지연시간(tR)
40 µs
40 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs
390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms
4.0 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s
1600 MB/s
다이 쓰기 속도
164 MB/s
164 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,800 MB/s
정보 없음
순차 쓰기
13,400 MB/s
정보 없음
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS
정보 없음
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS
정보 없음
쓰기 내구성
4800 TBW
정보 없음
보증 기간
5 Years
정보 없음
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
—
SLC 쓰기 캐시
지원
지원
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256
RGB 조명
미지원
정보 없음
PS5 호환
지원
지원