SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 9100 Pro 8 TBvsSamsung 9100 Pro 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
99우세
97
내구성
75
75
기능
83
83
효율
—
85
한눈에 보는 결론동급 성능·내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
8192 MB
2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
741.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
생산 중
출시일
Feb 25th, 2025
Feb 25th, 2025
제품 번호
MZ-VAP8T0
K9OVGY8J5B-CCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided)
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 5.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 2.0
소비전력
정보 없음
1.9 W (Idle) 5.1 W (Avg) 8.4 W (Max)
제조사
Samsung
Samsung
모델명
Samsung
Samsung K4U6E3S4AB-MGCL
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
5-Core
5-Core
파운드리
Samsung FinFET
Samsung FinFET
제조 공정
5 nm
5 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s
8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4X
LPDDR4X-4266
적층 기술
236-layer
236-layer
속도
2400 MT/s
2400 MT/s
Toggle 규격
5.0
5.0
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4
4
다이당 데크 수
2
2
읽기 지연시간(tR)
40 µs
40 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs
390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms
4.0 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s
1600 MB/s
다이 쓰기 속도
164 MB/s
164 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,800 MB/s우세
14,700 MB/s
순차 쓰기
13,400 MB/s
13,400 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS우세
1,850,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS
2,600,000 IOPS
쓰기 내구성
4800 TBW우세
1200 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.3
SLC 쓰기 캐시
지원
approx. 226 GB (216 GB Dynamic + 10 GB Static)
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256 TCG Opal
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
지원
출시 가격
—
294 USD
구성
—
16Gx32
캐시 소진 후 속도
—
approx. 1867 MB/s