SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro 8 TBvsPNY XLR8 CS3140 8 TB (Phison E18 + Kioxia BiCS5 TLC 1Tb)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

PNY

PNY XLR8 CS3140 8 TB (Phison E18 + Kioxia BiCS5 TLC 1Tb)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro 8 TB89/100종합 우세
VS
PNY XLR8 CS3140 8 TB (Phison E18 + Kioxia BiCS5 TLC 1Tb)84/100
동급 성능 99우세 86
내구성 75 82우세
기능 83 83
효율

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 8 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. PNY XLR8 CS3140 8 TB (Phison E18 + Kioxia BiCS5 TLC 1Tb)은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
8192 MB 2048 MB (2x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
출시일
Feb 25th, 2025 2022
제품 번호
MZ-VAP8T0 M2A8QN8TBCS3140-PHN-3
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 4.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
제조사
Samsung Kioxia
모델명
Samsung SK Hynix
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 12 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 8 @ 1,600 MT/s
종류
LPDDR4X DDR4-2666 CL19
적층 기술
236-layer 112-layer
속도
2400 MT/s 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2
읽기 지연시간(tR)
40 µs 56 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s
다이 쓰기 속도
164 MB/s
순차 읽기
14,800 MB/s우세 7,000 MB/s
순차 쓰기
13,400 MB/s우세 5,900 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
4800 TBW 6000 TBW우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.4
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
하드웨어 버전
Phison E18 + Kioxia BiCS5 TLC 1Tb 8 TB Phison E18 + Micron B27B 1 TB 2 TB 4 TB Phison E18 + Micron B47R 1 TB 2 TB 4 TB XLR8 CS3140 (Phison E18 + Kioxia BiCS5 TLC 1Tb) XLR8 CS3140 (Phison E18 + Micron B27B) XLR8 CS3140 (Phison E18 + Micron B47R)
동작 속도
1,000 MHz
워드라인
128 per NAND String 87.5% Vertical Efficiency
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles (100000 in SLC Mode)
블록 크기
1344 Pages
구성
8Gx16
평균 무고장 시간(MTBF)
2.0 Million Hours