SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro 8 TBvsCorsair MP400 8 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro 8 TB89/100종합 우세
VS
Corsair MP400 8 TB68/100
동급 성능 99우세 64
내구성 75우세 59
기능 83 83
효율 — 78

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 8 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
8192 MB 정보 없음
출시일
Feb 25th, 2025 Oct 8th, 2020
제품 번호
MZ-VAP8T0 CSSD-F8000GBMP400
폼팩터
M.2 2280 (Double-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
소비전력
정보 없음 Unknown (Idle) Unknown (Avg) 6.5 W (Max)
제조사
Samsung Micron
모델명
Samsung N28A FortisFlash
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
5-Core 쿼드 코어
파운드리
Samsung FinFET TSMC
제조 공정
5 nm 28 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 8 @ 667 MT/s
종류
LPDDR4X DDR4
적층 기술
236-layer 96-layer
속도
2400 MT/s 50 MT/s .. 800 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
셀 구조
Charge Trap Floating Gate
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²) 115 mm² (8.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 1 Tbit
다이당 데크 수
2 —
읽기 지연시간(tR)
40 µs 90 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs 2080 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms 15 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s 711 MB/s
다이 쓰기 속도
164 MB/s 30 MB/s
순차 읽기
14,800 MB/s우세 3,480 MB/s
순차 쓰기
13,400 MB/s우세 3,000 MB/s
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS우세 610,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세 710,000 IOPS
쓰기 내구성
4800 TBW우세 1600 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.1
PS5 호환
지원 미지원
출시 가격
— 1350 USD
동작 속도
— 667 MHz
ONFI 규격
— 4.0
낸드 최대 내구성
— 1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
— 4608 Pages
플레인 크기
— 492 Blocks
구성
— x16
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.8 Million Hours