SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro 4 TBvsSamsung 990 QVO 4 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro 4 TB88/100
VS
Samsung 990 QVO 4 TB90/100종합 우세
동급 성능 99
내구성 75 100우세
기능 83우세 77
효율 85

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 4 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다. Samsung 990 QVO 4 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
4096 MB (1x 4096 MB) 2 chips @ 16 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
생산 상태
생산 중 정보 없음
출시일
Feb 25th, 2025 2024
출시 가격
576 USD
제품 번호
MZ-VAP4T0 정보 없음
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 5.0 x2
소비전력
1.9 W (Idle) 5.0 W (Avg) 8.6 W (Max) 정보 없음
모델명
Samsung V-NAND V7
코어 구성
5-Core 6-Core
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 4 @ 2,400 MT/s
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
종류
LPDDR4X 없음
적층 기술
236-layer 176-layer
속도
2400 MT/s 1600 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²) 67 mm² (15.3 Gbit/mm²)
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
40 µs 85 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs 1600 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s
다이 쓰기 속도
164 MB/s
순차 읽기
14,800 MB/s 정보 없음
순차 쓰기
13,400 MB/s 정보 없음
랜덤 읽기
2,200,000 IOPS 정보 없음
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS 정보 없음
쓰기 내구성
2400 TBW 정보 없음
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
SLC 쓰기 캐시
approx. 442 GB (432 GB Dynamic + 10 GB Static) 지원
캐시 소진 후 속도
approx. 1856 MB/s
워드라인
191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours