SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 9100 Pro 1 TBvsSamsung PM963 960 GB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
97우세
25
내구성
75
100우세
기능
83
94우세
효율
—
98
한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung PM963 960 GB은(는) 내구성·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1024 MB (1x 1024 MB)
1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
960 GB 1.9 TB 3.8 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 %
129.9 GB / 14.5 %
생산 상태
생산 중
단종
출시일
Feb 25th, 2025
2016
출시 가격
173 USD
—
제품 번호
MZ-VAP1T0
K90MGY8S7M-CCK0
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2280 (Single-Sided)
M.2 22110 (Double-Sided)
인터페이스
PCIe 5.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0
NVMe 1.2
소비전력
정보 없음
Unknown (Idle) 2.5 W (Avg) 7.5 W (Max)
제조사
Samsung
Samsung
모델명
Samsung
Samsung K4E8E304EE-EGCF
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
5-Core
5-Core
파운드리
Samsung FinFET
Samsung
제조 공정
5 nm
28 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s
8
칩 활성 수
4
8
컨트롤러 기능
DRAM (enabled)
DRAM (enabled)
종류
LPDDR4X
LPDDR3
적층 기술
236-layer
48-layer
속도
2400 MT/s
667 MT/s
Toggle 규격
5.0
—
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
98 mm² (2.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit
8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
1
읽기 지연시간(tR)
40 µs
45 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs
660 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms
3500 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s
—
다이 쓰기 속도
164 MB/s
53 MB/s
페이지 크기
16 KB
16 KB
순차 읽기
14,700 MB/s우세
1,800 MB/s
순차 쓰기
13,300 MB/s우세
930 MB/s
랜덤 읽기
1,850,000 IOPS우세
350,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세
30,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW
1366 TBW우세
보증 기간
5 Years
5 Years
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.8
SLC 쓰기 캐시
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
지원
암호화
AES-256 TCG Opal
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
워드라인
—
54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
블록 크기
—
576 Pages
플레인 크기
—
3776 Blocks
구성
—
8Gx32
평균 무고장 시간(MTBF)
—
2.0 Million Hours
쓰기 캐시
—
N/A