SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro 1 TBvsSamsung PM961 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung PM961 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro 1 TB88/100종합 우세
VS
Samsung PM961 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)57/100
동급 성능 97우세 43
내구성 75우세 60
기능 83 83
효율 — —

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능·내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 512 GB 1 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 35.2 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Feb 25th, 2025 2016
출시 가격
173 USD 280 USD
제품 번호
MZ-VAP1T0 K90MGY8S7M-CCK0
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.3
모델명
Samsung Samsung K4E4E324EE-ECCF
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R5
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 28 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 8
칩 활성 수
4 8
종류
LPDDR4X LPDDR3-1600
적층 기술
236-layer 48-layer
속도
2400 MT/s 667 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²) 98 mm² (2.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
40 µs 45 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs 660 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms 3500 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s —
다이 쓰기 속도
164 MB/s 53 MB/s
순차 읽기
14,700 MB/s우세 3,100 MB/s
순차 쓰기
13,300 MB/s우세 1,700 MB/s
랜덤 읽기
1,850,000 IOPS우세 330,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세 300,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW 정보 없음
보증 기간
5 Years우세 3 Years
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 —
SLC 쓰기 캐시
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static) approx. 6 GB (static only)
암호화
AES-256 TCG Opal AES-256
PS5 호환
지원 미지원
워드라인
— 54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
블록 크기
— 576 Pages
플레인 크기
— 3776 Blocks
구성
— 4Gx32
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours
캐시 소진 후 속도
— approx. 650 MB/s