SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro 1 TBvsSamsung 980 250 GB (V-NAND V6 512Gb)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro 1 TB88/100종합 우세
VS
Samsung 980 250 GB (V-NAND V6 512Gb)60/100
동급 성능 97우세 38
내구성 75 75
기능 83우세 77
효율 — 92

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 1 chip @ 2 Tbit
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 250 GB 500 GB 1 TB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 23.2 GB / 10.0 %
출시일
Feb 25th, 2025 Sep 2020
출시 가격
173 USD 50 USD
제품 번호
MZ-VAP1T0 MZ-V8V250BW
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.4
소비전력
정보 없음 0.05 W (Idle) 3.7 W (Avg) 5.6 W (Max)
모델명
Samsung V-NAND V6
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex-R8 + ARM 32-bit Cortex-R5
제조 공정
5 nm 19 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 4 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
DRAM (enabled) HMB (enabled)
종류
LPDDR4X 없음
적층 기술
236-layer 128-layer
속도
2400 MT/s 800 MT/s .. 1200 MT/s
Toggle 규격
5.0 4.0
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
40 µs 45 µs
프로그램 시간(tProg)
390 µs 400 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms 3.5 ms
다이 읽기 속도
1600 MB/s 711 MB/s
다이 쓰기 속도
164 MB/s 84 MB/s
순차 읽기
14,700 MB/s우세 2,900 MB/s
순차 쓰기
13,300 MB/s우세 1,300 MB/s
랜덤 읽기
1,850,000 IOPS우세 230,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세 320,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세 150 TBW
SLC 쓰기 캐시
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static) approx. 45 GB (dynamic only)
암호화
AES-256 TCG Opal AES-128 AES-256 TCG Opal
PS5 호환
지원 미지원
하드웨어 버전
— V-NAND V6 512Gb 250 GB 500 GB 1 TB V-NAND V6P 512Gb 500 GB 1 TB 980 (V-NAND V6 512Gb) 980 (V-NAND V6P 512Gb)
리브랜딩명
— SAMSUNG V6 V-NAND
워드라인
— 136 per NAND String 94.1% Vertical Efficiency
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— 64 MB
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours