SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 9100 Pro 1 TBvsSamsung 950 PRO 512 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 9100 Pro 1 TB88/100종합 우세
VS
Samsung 950 PRO 512 GB60/100
동급 성능 97우세 32
내구성 75 83우세
기능 83 83
효율 — 82

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung 950 PRO 512 GB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. 기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1024 MB (1x 1024 MB) 512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 4 TB 8 TB 256 GB 512 GB
오버프로비저닝
92.7 GB / 10.0 % 35.2 GB / 7.4 %
생산 상태
생산 중 단종
출시일
Feb 25th, 2025 Oct 2015
출시 가격
173 USD 350 USD
제품 번호
MZ-VAP1T0 MZ-V5P512BW
인터페이스
PCIe 5.0 x4 PCIe 3.0 x4
프로토콜
NVMe 2.0 NVMe 1.1
소비전력
정보 없음 1.7 W (Idle) 5.7 W (Avg) 7.0 W (Max)
모델명
Samsung SAMSUNG K4E4E324EL-SGCF
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R8 ARM 32-bit Cortex R4
코어 구성
5-Core 트리플 코어
파운드리
Samsung FinFET Samsung
제조 공정
5 nm 32 nm
플래시 채널
8 @ 2,400 MT/s 8 @ 533 MT/s
종류
LPDDR4X LPDDR3-1600
적층 기술
236-layer 32-layer
속도
2400 MT/s 1000 MT/s
Toggle 규격
5.0 —
다이 면적
89 mm² (11.5 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
4 dies @ 1 Tbit —
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
읽기 지연시간(tR)
40 µs —
프로그램 시간(tProg)
390 µs —
블록 삭제 시간(tBERS)
4.0 ms —
다이 읽기 속도
1600 MB/s —
다이 쓰기 속도
164 MB/s —
순차 읽기
14,700 MB/s우세 2,200 MB/s
순차 쓰기
13,300 MB/s우세 1,500 MB/s
랜덤 읽기
1,850,000 IOPS우세 300,000 IOPS
랜덤 쓰기
2,600,000 IOPS우세 110,000 IOPS
쓰기 내구성
600 TBW우세 400 TBW
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3 0.4
SLC 쓰기 캐시
approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static) —
암호화
AES-256 TCG Opal AES-128 AES-256
PS5 호환
지원 미지원
동작 속도
— 500 MHz
낸드 최대 내구성
— 6000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
구성
— 4Gx32
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— N/A
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours
쓰기 캐시
— N/A