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비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung SZ1735 3 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)—/100
VS
Samsung SZ1735 3 TB91/100
동급 성능 — 78
내구성 — 100
기능 45 94우세
효율 — 85

한눈에 보는 결론Samsung SZ1735 3 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
— 정보 없음
용량 옵션
— 800 GB 1.6 TB 3 TB
오버프로비저닝
— 1115.8 GB / 37.4 %
생산 상태
— 생산 중
출시일
— Dec 2021
제품 번호
— MZWJJ3T2HMHN-00007
대상 시장
— 기업용
폼팩터
— U.2
인터페이스
— PCIe 3.0 x4
프로토콜
— NVMe 1.3
소비전력
— 5.0 W (Idle) Unknown (Avg) 12.0 W (Max)
제조사
— Samsung
모델명
— Samsung
아키텍처
— ARM 32-bit Cortex-R8
파운드리
— Samsung FinFET
제조 공정
— 14 nm
플래시 채널
— 16 @ 1,200 MT/s
칩 활성 수
— 4
컨트롤러 기능
— DRAM (enabled)
종류
— DDR4
적층 기술
— 48-layer
속도
— 667 MT/s
셀 구조
— Charge Trap
다이 면적
— 101 mm² (0.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
— 16 dies @ 64 Gbit
다이당 플레인 수
— 8
읽기 지연시간(tR)
— 3 µs
프로그램 시간(tProg)
— 100 µs
다이 쓰기 속도
— 160 MB/s
페이지 크기
— 2 KB
순차 읽기
— 3,200 MB/s
순차 쓰기
— 3,200 MB/s
랜덤 읽기
— 800,000 IOPS
랜덤 쓰기
— 250,000 IOPS
쓰기 내구성
— 175200 TBW
보증 기간
— 5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
— 2.0 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
— 30.0
쓰기 캐시
— N/A
TRIM 지원
— 지원
S.M.A.R.T. 지원
— 지원
전원 손실 보호
— 지원
암호화
— AES-256
RGB 조명
— 미지원
PS5 호환
— 미지원