SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung SM961 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
—
44
내구성
—
60
기능
45
83우세
효율
—
81
한눈에 보는 결론Samsung SM961 512 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
—
512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
—
512 GB 1 TB
오버프로비저닝
—
35.2 GB / 7.4 %
생산 상태
—
단종
출시일
—
Apr 15th, 2016
출시 가격
—
280 USD
제품 번호
—
MZVKW512HMJP-00000
대상 시장
—
일반 소비자용
폼팩터
—
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
—
PCIe 3.0 x4
프로토콜
—
NVMe 1.2
소비전력
—
Unknown (Idle) Unknown (Avg) 5.9 W (Max)
제조사
—
Samsung
모델명
—
Samsung
아키텍처
—
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
—
5-Core
파운드리
—
Samsung
제조 공정
—
28 nm
플래시 채널
—
8
칩 활성 수
—
8
컨트롤러 기능
—
DRAM (enabled)
종류
—
LPDDR3
적층 기술
—
48-layer
속도
—
1000 MT/s
셀 구조
—
Charge Trap
칩당 다이 수
—
8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
—
2
다이당 데크 수
—
1
페이지 크기
—
16 KB
순차 읽기
—
3,200 MB/s
순차 쓰기
—
1,700 MB/s
랜덤 읽기
—
330,000 IOPS
랜덤 쓰기
—
300,000 IOPS
쓰기 내구성
—
정보 없음
보증 기간
—
3 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
—
1.5 Million Hours
SLC 쓰기 캐시
—
지원
TRIM 지원
—
지원
S.M.A.R.T. 지원
—
지원
전원 손실 보호
—
미지원
암호화
—
정보 없음
RGB 조명
—
미지원
PS5 호환
—
미지원