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비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung PM971 256 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)

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Samsung

Samsung PM971 256 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)

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SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)—/100
VS
Samsung PM971 256 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)46/100
동급 성능 — 19
내구성 — —
기능 45 83우세
효율 — 95

한눈에 보는 결론Samsung PM971 256 GB (Samsung V-NAND TLC V3 256Gb M-Die)은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
— 정보 없음
용량 옵션
— 256 GB 512 GB
오버프로비저닝
— 17.6 GB / 7.4 %
생산 상태
— 단종
출시일
— Sep 8th, 2015
제품 번호
— KUS030202M-B000TMV
대상 시장
— 일반 소비자용
폼팩터
— BGA
인터페이스
— PCIe 3.0 x2
프로토콜
— NVMe 1.2
소비전력
— Unknown (Idle) Unknown (Avg) 3.0 W (Max)
제조사
— Samsung
모델명
— V-NAND V3
아키텍처
— ARM 32-bit Cortex-R
파운드리
— Samsung FinFET
제조 공정
— 28 nm
플래시 채널
— 4 @ 667 MT/s
칩 활성 수
— 4
컨트롤러 기능
— DRAM (enabled)
종류
— LPDDR4
적층 기술
— 48-layer
속도
— 667 MT/s
셀 구조
— Charge Trap
다이 면적
— 98 mm² (2.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
— 8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
— 2
다이당 데크 수
— 1
워드라인
— 54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
— 45 µs
프로그램 시간(tProg)
— 660 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3500 ms
다이 쓰기 속도
— 53 MB/s
페이지 크기
— 16 KB
블록 크기
— 576 Pages
플레인 크기
— 3776 Blocks
순차 읽기
— 1,400 MB/s
순차 쓰기
— 800 MB/s
랜덤 읽기
— 130,000 IOPS
랜덤 쓰기
— 130,000 IOPS
쓰기 내구성
— 정보 없음
보증 기간
— 없음
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours
SLC 쓰기 캐시
— 지원
TRIM 지원
— 지원
S.M.A.R.T. 지원
— 지원
전원 손실 보호
— 미지원
암호화
— 정보 없음
RGB 조명
— 미지원
PS5 호환
— 미지원