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비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung PM951 256 GB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)—/100
VS
Samsung PM951 256 GB44/100
동급 성능 — 14
내구성 — —
기능 45 83우세
효율 — 100

한눈에 보는 결론Samsung PM951 256 GB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
— 256 MB (1x 256 MB)
용량 옵션
— 128 GB 256 GB 512 GB
오버프로비저닝
— 17.6 GB / 7.4 %
생산 상태
— 단종
출시일
— Aug 12th, 2014
제품 번호
— MZVLV256HCHP-00000
대상 시장
— 일반 소비자용
폼팩터
— M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
— PCIe 3.0 x4
프로토콜
— NVMe 1.1
소비전력
— Unknown (Idle) 1.7 W (Avg) 4.5 W (Max)
제조사
— Samsung
모델명
— V-NAND V2 C-die
아키텍처
— ARM 32-bit Cortex R4
코어 구성
— 트리플 코어
동작 속도
— 500 MHz
파운드리
— Samsung
제조 공정
— 40 nm
플래시 채널
— 8 @ 533 MT/s
칩 활성 수
— 4
컨트롤러 기능
— DRAM (enabled)
종류
— LPDDR3
적층 기술
— 32-layer
속도
— 533 MT/s .. 1000 MT/s
셀 구조
— Charge Trap
다이 면적
— 69 mm² (1.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
— 8 dies @ 128 Gbit
다이당 플레인 수
— 1
다이당 데크 수
— 1
워드라인
— 39 per NAND String 82.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
— 45 µs
프로그램 시간(tProg)
— 700 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3500 ms
다이 쓰기 속도
— 50 MB/s
낸드 최대 내구성
— 7000 P/E Cycles (20500 in SLC Mode)
페이지 크기
— 16 KB
블록 크기
— 384 Pages
플레인 크기
— 2732 Blocks
순차 읽기
— 1,000 MB/s
순차 쓰기
— 280 MB/s
랜덤 읽기
— 250,000 IOPS
랜덤 쓰기
— 74,000 IOPS
쓰기 내구성
— 정보 없음
보증 기간
— 정보 없음
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours
쓰기 캐시
— N/A
TRIM 지원
— 지원
S.M.A.R.T. 지원
— 지원
전원 손실 보호
— 미지원
암호화
— 정보 없음
RGB 조명
— 미지원
PS5 호환
— 미지원