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비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung 990 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)—/100
VS
Samsung 990 2 TB70/100
동급 성능 — 73
내구성 — 47
기능 45 77우세
효율 — 96

한눈에 보는 결론Samsung 990 2 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
— 1 chip @ 16 Tbit
용량 옵션
— 1 TB 2 TB
오버프로비저닝
— 185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
— 생산 중
출시일
— Jul 14th, 2026
출시 가격
— 530 USD
제품 번호
— K9YYGY8J5D-FCK0
대상 시장
— 일반 소비자용
폼팩터
— M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
— PCIe 4.0 x4
프로토콜
— NVMe 2.0
소비전력
— 1.2 W (Idle) 2.8 W (Avg) 3.8 W (Max)
제조사
— Samsung
모델명
— V-NAND V9
아키텍처
— ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
— 6-Core
파운드리
— Samsung FinFET
제조 공정
— 5 nm
플래시 채널
— 4 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
— 4
컨트롤러 기능
— HMB (enabled)
종류
— 없음
적층 기술
— 280-layer
속도
— 3200 MT/s
Toggle 규격
— 5.0
셀 구조
— Charge Trap
다이 면적
— 36 mm² (28.4 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
— 16 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
— 4
다이당 데크 수
— 2
읽기 지연시간(tR)
— 85 µs
다이 쓰기 속도
— 41 MB/s
페이지 크기
— 16 KB
호스트 메모리 버퍼(HMB)
— 64 MB
순차 읽기
— 7,250 MB/s
순차 쓰기
— 6,450 MB/s
랜덤 읽기
— 850,000 IOPS
랜덤 쓰기
— 1,200,000 IOPS
쓰기 내구성
— 800 TBW
보증 기간
— 3 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
— 1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
— 0.4
SLC 쓰기 캐시
— approx. 350 GB
캐시 폴딩 속도
— 213 MB/s
TRIM 지원
— 지원
S.M.A.R.T. 지원
— 지원
전원 손실 보호
— 미지원
암호화
— AES-256 TCG Opal
RGB 조명
— 미지원
PS5 호환
— 지원