SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung 960 EVO 500 GB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
—
44
내구성
—
67
기능
45
83우세
효율
—
84
한눈에 보는 결론Samsung 960 EVO 500 GB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
—
512 MB (1x 512 MB)
용량 옵션
—
250 GB 500 GB 1 TB
오버프로비저닝
—
46.3 GB / 10.0 %
생산 상태
—
단종
출시일
—
Oct 2016
출시 가격
—
250 USD
제품 번호
—
K90MGY8S7M-CCK0
대상 시장
—
일반 소비자용
폼팩터
—
M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
—
PCIe 3.0 x4
프로토콜
—
NVMe 1.2
소비전력
—
0.04 W (Idle) 5.3 W (Avg) Unknown (Max)
제조사
—
Samsung
모델명
—
SAMSUNG K4E4E324EE-EGCF
아키텍처
—
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
—
5-Core
파운드리
—
Samsung
제조 공정
—
28 nm
플래시 채널
—
8
칩 활성 수
—
8
컨트롤러 기능
—
DRAM (enabled)
종류
—
LPDDR3-1866
적층 기술
—
48-layer
속도
—
667 MT/s
셀 구조
—
Charge Trap
다이 면적
—
98 mm² (2.6 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
—
8 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
—
2
다이당 데크 수
—
1
워드라인
—
54 per NAND String 88.9% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
—
45 µs
프로그램 시간(tProg)
—
660 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
—
3500 ms
다이 쓰기 속도
—
53 MB/s
페이지 크기
—
16 KB
블록 크기
—
576 Pages
플레인 크기
—
3776 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
—
N/A
순차 읽기
—
3,200 MB/s
순차 쓰기
—
1,800 MB/s
랜덤 읽기
—
330,000 IOPS
랜덤 쓰기
—
330,000 IOPS
쓰기 내구성
—
200 TBW
보증 기간
—
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
—
1.5 Million Hours
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
—
0.2
SLC 쓰기 캐시
—
approx. 22 GB (18 GB Dynamic + 4 GB Static)
캐시 소진 후 속도
—
approx. 600 MB/s
TRIM 지원
—
지원
S.M.A.R.T. 지원
—
지원
전원 손실 보호
—
미지원
암호화
—
AES-128 AES-256 TCG Opal
RGB 조명
—
미지원
PS5 호환
—
미지원