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비교

SSD / 나란히 비교

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)vsSamsung 9100 Pro 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Samsung

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

Samsung 870 EVO 8 TB (Samsung TLC V8 512Gb F-die)—/100
VS
Samsung 9100 Pro 2 TB88/100
동급 성능 — 97
내구성 — 75
기능 45 83우세
효율 — 85

한눈에 보는 결론Samsung 9100 Pro 2 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
— 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
— 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
오버프로비저닝
— 185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
— 생산 중
출시일
— Feb 25th, 2025
출시 가격
— 294 USD
제품 번호
— K9OVGY8J5B-CCK0
대상 시장
— 일반 소비자용
폼팩터
— M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
— PCIe 5.0 x4
프로토콜
— NVMe 2.0
소비전력
— 1.9 W (Idle) 5.1 W (Avg) 8.4 W (Max)
제조사
— Samsung
모델명
— Samsung K4U6E3S4AB-MGCL
아키텍처
— ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
— 5-Core
파운드리
— Samsung FinFET
제조 공정
— 5 nm
플래시 채널
— 8 @ 2,400 MT/s
칩 활성 수
— 4
컨트롤러 기능
— DRAM (enabled)
종류
— LPDDR4X-4266
적층 기술
— 236-layer
속도
— 2400 MT/s
Toggle 규격
— 5.0
셀 구조
— Charge Trap
다이 면적
— 89 mm² (11.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
— 8 dies @ 1 Tbit
다이당 플레인 수
— 4
다이당 데크 수
— 2
읽기 지연시간(tR)
— 40 µs
프로그램 시간(tProg)
— 390 µs
블록 삭제 시간(tBERS)
— 4.0 ms
다이 읽기 속도
— 1600 MB/s
다이 쓰기 속도
— 164 MB/s
페이지 크기
— 16 KB
구성
— 16Gx32
순차 읽기
— 14,700 MB/s
순차 쓰기
— 13,400 MB/s
랜덤 읽기
— 1,850,000 IOPS
랜덤 쓰기
— 2,600,000 IOPS
쓰기 내구성
— 1200 TBW
보증 기간
— 5 Years
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
— 0.3
SLC 쓰기 캐시
— approx. 226 GB (216 GB Dynamic + 10 GB Static)
캐시 소진 후 속도
— approx. 1867 MB/s
TRIM 지원
— 지원
S.M.A.R.T. 지원
— 지원
전원 손실 보호
— 미지원
암호화
— AES-256 TCG Opal
RGB 조명
— 미지원
PS5 호환
— 지원