SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

PNY CS2342 2 TBvsWestern Digital SN850 (w/ Heatsink) 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

Western Digital

Western Digital SN850 (w/ Heatsink) 2 TB

상세 스펙 보기
SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

PNY CS2342 2 TB84/100종합 우세
VS
Western Digital SN850 (w/ Heatsink) 2 TB72/100
동급 성능 89우세 63
내구성 75 75
기능 77 81우세
효율 94우세 91

한눈에 보는 결론PNY CS2342 2 TB은(는) 동급 성능·효율 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN850 (w/ Heatsink) 2 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2048 MB (1x 2048 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
출시일
Mar 25th, 2025 Oct 8th, 2020
출시 가격
270 USD 480 USD
제품 번호
T8CVGA5A1V WDS200T1XHE-00AFY0
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided) M.2 2280 (Double-Sided)
프로토콜
정보 없음 NVMe 1.4
소비전력
0.84 W (Idle) 3.3 W (Avg) 4.8 W (Max) 1.5 W (Idle) 3.9 W (Avg) 7.0 W (Max)
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS6 Micron
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
트리플 코어 —
동작 속도
1,200 MHz —
제조 공정
12 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s 8 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4
적층 기술
162-layer 96-layer
속도
2400 MT/s 800 MT/s
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²) 86 mm² (6.0 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
65 µs 58 µs
프로그램 시간(tProg)
400 µs 561 µs
다이 읽기 속도
1280 MB/s 551 MB/s
다이 쓰기 속도
160 MB/s 57 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
3660 Pages 1152 Pages
플레인 크기
2430 Blocks 1822 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,300 MB/s우세 7,000 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세 5,100 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음 1,000,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 710,000 IOPS
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
SLC 쓰기 캐시
approx. 52 GB (dynamic only) approx. 600 GB (576 GB Dynamic + 24 GB Static)
캐시 소진 후 속도
approx. 800 MB/s approx. 1900 MB/s
암호화
TCG Pyrite 미지원
ONFI 규격
— 4.0
Toggle 규격
— 3.0
캐시 폴딩 속도
— 1050 MB/s