SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

PNY CS2342 2 TBvsSamsung 990 Evo 2 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

PNY CS2342 2 TB84/100종합 우세
VS
Samsung 990 Evo 2 TB63/100
동급 성능 89우세 51
내구성 75 75
기능 77 77
효율 94 —

한눈에 보는 결론PNY CS2342 2 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. 내구성·기능 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 16 Tbit 2 chips @ 8 Tbit
출시일
Mar 25th, 2025 2024
출시 가격
270 USD —
제품 번호
T8CVGA5A1V K9DVGB8J1E-CCK0
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
인터페이스
PCIe 4.0 x4 PCIe 5.0 x2
프로토콜
정보 없음 NVMe 2.0
소비전력
0.84 W (Idle) 3.3 W (Avg) 4.8 W (Max) 정보 없음
제조사
Kioxia Samsung
모델명
BiCS6 V-NAND V6 Prime
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5 ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
트리플 코어 6-Core
동작 속도
1,200 MHz —
파운드리
TSMC FinFET Samsung FinFET
제조 공정
12 nm 20 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s 4 @ 2,400 MT/s
적층 기술
162-layer 133-layer
속도
2400 MT/s 1200 MT/s
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 512 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
다이당 데크 수
2 1
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency 136 per NAND String 97.8% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
65 µs —
프로그램 시간(tProg)
400 µs —
다이 읽기 속도
1280 MB/s —
다이 쓰기 속도
160 MB/s —
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles —
블록 크기
3660 Pages —
플레인 크기
2430 Blocks —
순차 읽기
7,300 MB/s우세 5,000 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세 4,200 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음 700,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 800,000 IOPS
SLC 쓰기 캐시
approx. 52 GB (dynamic only) approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
캐시 소진 후 속도
approx. 800 MB/s approx. 1700 MB/s
암호화
TCG Pyrite AES-256 TCG Opal
Toggle 규격
— 4.0
캐시 폴딩 속도
— 1200 MB/s