SSD
SOLID STATE DRIVE
SSD / 나란히 비교
PNY CS2342 2 TBvsPNY XLR8 CS3030 2 TB
두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.
SSD
SOLID STATE DRIVE
SPEC MATCH SCORE
스펙 기준 비교 결과
가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.
동급 성능
89
93우세
내구성
75우세
64
기능
77
83우세
효율
94
—
한눈에 보는 결론PNY CS2342 2 TB은(는) 내구성 항목에서 앞섭니다. PNY XLR8 CS3030 2 TB은(는) 동급 성능·기능 항목에서 앞섭니다.
누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.
비교표 보기
제품 사양
용량
1 chip @ 16 Tbit
정보 없음
용량 옵션
1 TB 2 TB
250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB
오버프로비저닝
185.4 GB / 10.0 %
185.4 GB / 10.0 %
생산 상태
생산 중
정보 없음
출시일
Mar 25th, 2025
May 8th, 2019
출시 가격
270 USD
320 USD
제품 번호
T8CVGA5A1V
M280CS3030-2TB-RB
대상 시장
일반 소비자용
일반 소비자용
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided)
M.2 2280
인터페이스
PCIe 4.0 x4
PCIe 3.0 x4
프로토콜
정보 없음
NVMe 1.3
소비전력
0.84 W (Idle) 3.3 W (Avg) 4.8 W (Max)
정보 없음
제조사
Kioxia
Toshiba
모델명
BiCS6
BiCS3
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5
ARM 32-bit Cortex-R5
코어 구성
트리플 코어
쿼드 코어
동작 속도
1,200 MHz
667 MHz
파운드리
TSMC FinFET
TSMC
제조 공정
12 nm
19 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s
8 @ 667 MT/s
칩 활성 수
4
4
컨트롤러 기능
HMB (enabled)
DRAM (enabled)
종류
없음
LPDDR4
적층 기술
162-layer
64-layer
속도
2400 MT/s
533 MT/s
셀 구조
Charge Trap
Charge Trap
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²)
132 mm² (3.9 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
16 dies @ 1 Tbit
—
다이당 플레인 수
4
2
다이당 데크 수
2
2
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency
—
읽기 지연시간(tR)
65 µs
80 µs
프로그램 시간(tProg)
400 µs
695 µs
다이 읽기 속도
1280 MB/s
400 MB/s
다이 쓰기 속도
160 MB/s
46 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles
3000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
페이지 크기
16 KB
16 KB
블록 크기
3660 Pages
768 Pages
플레인 크기
2430 Blocks
2732 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB
—
순차 읽기
7,300 MB/s우세
3,500 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세
3,000 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음
정보 없음
랜덤 쓰기
정보 없음
정보 없음
쓰기 내구성
1200 TBW우세
660 TBW
보증 기간
5 Years
5 Years
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours
2.0 Million Hours우세
일일 전체 드라이브 쓰기(DWPD)
0.3
0.2
SLC 쓰기 캐시
approx. 52 GB (dynamic only)
지원
캐시 소진 후 속도
approx. 800 MB/s
—
TRIM 지원
지원
지원
S.M.A.R.T. 지원
지원
지원
전원 손실 보호
미지원
미지원
암호화
TCG Pyrite
AES-256
RGB 조명
미지원
미지원
PS5 호환
지원
미지원
Toggle 규격
—
2.0