SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

PNY CS2342 1 TBvsWestern Digital SN850 1 TB

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

PNY CS2342 1 TB82/100종합 우세
VS
Western Digital SN850 1 TB73/100
동급 성능 89우세 64
내구성 75 75
기능 77 81우세
효율 — 91

한눈에 보는 결론PNY CS2342 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Western Digital SN850 1 TB은(는) 기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1024 MB (1x 1024 MB)
용량 옵션
1 TB 2 TB 500 GB 1 TB 2 TB
출시일
Mar 25th, 2025 Oct 8th, 2020
제품 번호
M230CS2342-1TB-TB WDS100T1X0E
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
프로토콜
정보 없음 NVMe 1.4
소비전력
정보 없음 1.5 W (Idle) 3.8 W (Avg) 6.8 W (Max)
제조사
Kioxia Toshiba
모델명
BiCS6 NANYA NT5AD512M16C4-HR
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5 ARM 32-bit Cortex-R
코어 구성
트리플 코어 —
동작 속도
1,200 MHz —
제조 공정
12 nm 19 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s 8 @ 1,200 MT/s
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 DDR4-2666 CL19
적층 기술
162-layer 96-layer
속도
2400 MT/s 533 MT/s .. 800 MT/s
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²) —
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 16 dies @ 256 Gbit
다이당 플레인 수
4 2
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency 109 per NAND String 88.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
65 µs 59 µs
프로그램 시간(tProg)
400 µs 625 µs
다이 읽기 속도
1280 MB/s 551 MB/s
다이 쓰기 속도
160 MB/s 56 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles 1500 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
블록 크기
3660 Pages 1152 Pages
플레인 크기
2430 Blocks 1980 Blocks
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,300 MB/s우세 7,000 MB/s
순차 쓰기
6,000 MB/s우세 5,300 MB/s
랜덤 읽기
정보 없음 1,000,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 720,000 IOPS
평균 무고장 시간(MTBF)
1.5 Million Hours 1.8 Million Hours우세
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 300 GB (288 GB Dynamic + 12 GB Static)
암호화
TCG Pyrite 미지원
출시 가격
— 230 USD
리브랜딩명
— 000085 512G (Rebranded by Sandisk)
Toggle 규격
— 3.0
구성
— 8Gx16
캐시 소진 후 속도
— approx. 1340 MB/s