SPECMATCHKR
비교

SSD / 나란히 비교

PNY CS2342 1 TBvsSamsung 990 Pro 1 TB (Pascal + V7)

두 SSD의 벤치마크와 전체 사양을 같은 기준으로 비교합니다.

SPEC MATCH SCORE

스펙 기준 비교 결과

가격을 제외하고 성능·내구성·기능·효율을 같은 규칙으로 평가했습니다.

PNY CS2342 1 TB82/100
VS
Samsung 990 Pro 1 TB (Pascal + V7)83/100종합 우세
동급 성능 89우세 84
내구성 75 75
기능 77 83우세
효율 — 100

한눈에 보는 결론PNY CS2342 1 TB은(는) 동급 성능 항목에서 앞섭니다. Samsung 990 Pro 1 TB (Pascal + V7)은(는) 기능 항목에서 앞섭니다. 내구성 점수는 두 제품이 비슷합니다.

누락된 항목은 계산에서 제외합니다. 점수 차이가 작다면 실제 체감 차이도 제한적일 수 있습니다.

비교표 보기

제품 사양

용량
1 chip @ 8 Tbit 1024 MB (1x 1024 MB)
출시일
Mar 25th, 2025 Aug 24th, 2022
제품 번호
M230CS2342-1TB-TB K90UGY8J5D-CCK0
폼팩터
M.2 2242 (Single-Sided) M.2 2280 (Single-Sided)
프로토콜
정보 없음 NVMe 2.0
소비전력
정보 없음 0.05 W (Idle) Unknown (Avg) 7.8 W (Max)
제조사
Kioxia Samsung
모델명
BiCS6 SAMSUNG K4F8E164HM-BGCJ
아키텍처
ARM 32-bit Cortex-R5 ARM 32-bit Cortex-R8
코어 구성
트리플 코어 —
동작 속도
1,200 MHz —
파운드리
TSMC FinFET Samsung FinFET
제조 공정
12 nm 8 nm
플래시 채널
4 @ 3,600 MT/s 8 @ 2,000 MT/s
칩 활성 수
4 8
컨트롤러 기능
HMB (enabled) DRAM (enabled)
종류
없음 LPDDR4-1866
적층 기술
162-layer 176-layer
속도
2400 MT/s 2000 MT/s
다이 면적
98 mm² (10.4 Gbit/mm²) 60 mm² (8.5 Gbit/mm²)
칩당 다이 수
8 dies @ 1 Tbit 8 dies @ 512 Gbit
워드라인
184 per NAND String 88.0% Vertical Efficiency 191 per NAND String 92.1% Vertical Efficiency
읽기 지연시간(tR)
65 µs 40 µs
프로그램 시간(tProg)
400 µs 347 µs
다이 읽기 속도
1280 MB/s 1600 MB/s
다이 쓰기 속도
160 MB/s 184 MB/s
낸드 최대 내구성
3000 P/E Cycles —
블록 크기
3660 Pages —
플레인 크기
2430 Blocks —
호스트 메모리 버퍼(HMB)
64 MB —
순차 읽기
7,300 MB/s 7,450 MB/s우세
순차 쓰기
6,000 MB/s 6,900 MB/s우세
랜덤 읽기
정보 없음 1,200,000 IOPS
랜덤 쓰기
정보 없음 1,550,000 IOPS
SLC 쓰기 캐시
지원 approx. 114 GB (108 GB Dynamic + 6 GB Static)
암호화
TCG Pyrite AES-256 TCG Opal
하드웨어 버전
— Pascal + V7 1 TB 2 TB Pascal + V8 1Tb 2 TB 4 TB Pascal + V8 512Gb 1 TB 2 TB Pascal + V9 1Tb TLC 2 TB 4 TB 990 Pro (Pascal + V7) 990 Pro (Pascal + V8 1Tb) 990 Pro (Pascal + V8 512Gb) 990 Pro (Pascal + V9 1Tb TLC)
출시 가격
— 179 USD
Toggle 규격
— 5.0
블록 삭제 시간(tBERS)
— 3.5 ms
구성
— 8Gx16